تحلیل مهندسی مدار ویراست هفتم

نویسنده : ویلیام هیت ، جک کمرلی ، استیون دوربن

مترجم : محمود دیانی

انتشارات : نص

سلول حافظه SRAM کم توان و قابل اطمینان و طراحی آرایه ای

نویسنده : کویچیرو ایشیباشی ، کنیچی اوسادا

مترجم : صنم صهرابی ، سهیل ضیاء بخش

انتشارات : نیاز دانش

با پیشرفت در فن­آوری­های CMOS این امکان بوجود آمد که مدارات مجتمع و از جمله حافظه ­ها را در ظرفیت‌های بالا پیاده­ سازی نمود. حافظه دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) نیز از این قاعده مستثنی نبوده و بطور گسترده ­ای به عنوان حافظه نمایش­ دهنده منطق LSI استفاده می­شود. همچنین بدلیل استفاده از فرآیند مدارات منطقی مشابه از هزینه فرآیند اضافی می­ کاهد. طراحی مناسب سلول و آرایه سلول SRAM جهت دستیابی به  عملکرد بالا، توان کم، هزینه پایین و منطق LSI قابل اطمینان امری اجتناب‌ناپذیر است.

ویژگی مهم این کتاب، سادگی بیان ساختارهای مختلف SRAM با استفاده از فن­آوری­ های CMOS و مشکلات و مزایای هرکدام می‌باشد. ارائه شبیه‌سازی نیز در فهم هرچه بیشتر این ساختارها به خواننده کمک می‌کند.